另一方面，濕蝕刻僅是化學(xué)過程，干蝕刻等向性蝕刻與異向性蝕刻同時(shí)存在，濕蝕刻：利用化學(xué)藥液將需要蝕刻掉的物質(zhì)蝕刻掉，濕蝕刻為等向性蝕刻，濕蝕刻機(jī)臺(tái)便宜，蝕刻速度快，但難以jing確控制線寬和獲得極其精細(xì)的圖形并且需要大量用水，污染大；干蝕刻機(jī)臺(tái)價(jià)格昂貴，蝕刻速度速度慢，但可以jing確控制線寬能獲得極其精細(xì)的圖形，而且不需要用水，污染小，蝕刻工藝是一項(xiàng)工業(yè)應(yīng)用，涉及到我們生活中的全方面應(yīng)用，在工業(yè)制造中是不可缺少的中間工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域緊密的以我們生活中的“吃、穿、住、行”為主要應(yīng)用，無論是行業(yè)應(yīng)用，或者是生活生產(chǎn)，蝕刻工藝是不可取代，且不可缺失的。

當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時(shí)，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學(xué)蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因?yàn)橐后w蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對(duì)于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W(xué)蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。