傳統(tǒng)的蝕刻工藝因為存在技術(shù)落后、生產(chǎn)成本高、嚴(yán)重的污染問題，guo家在環(huán)保政策的要求下強(qiáng)勢淘汰傳統(tǒng)工藝，整個蝕刻行業(yè)亟需解決行業(yè)升級、技術(shù)換代的問題，且迫在眉睫，蝕刻優(yōu)版創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，微加工過程中有很多加工步驟，現(xiàn)代工藝上，不銹鋼蝕刻板針對高精密、精細(xì)化的產(chǎn)品上無法滿足，其蝕刻工藝手段非常適用對精密化產(chǎn)品，比如汽車機(jī)械部件、墊片和間隔墊圈、高性能密封墊片、各種過濾網(wǎng)片，電動汽車電池片，汽車?yán)染W(wǎng)上均采用蝕刻工藝。

當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學(xué)蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W(xué)蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

現(xiàn)在可以對涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。