實驗室凈化工程干凈室的平面和空間設計，應將干凈實驗區和人員凈化、設備資料凈化和其他輔助用房停止分區布置。同時應思索實驗操作、工藝設備裝置和維修、氣流式、管線布置以及凈化空氣調理系統等各種技術設備的綜合諧和效果。 肯定實驗室凈化工程干凈室空氣干凈度等級時，首先要滿足實驗內容和實驗儀器設備對空氣干凈度的請求，然后還要依據實驗操作步驟和實驗程序規劃,綜合思索各個實驗區域的不同凈化等級請求，從而做到既滿足凈化請求又節約本錢支出。室內各種固定技術設備（如送風口、照明器、回風口、各種管線等）的布置，宜首先思索實驗室凈化工程凈化空氣調理系統的請求。

干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

實驗室凈化分類 亂流式 空氣由空調箱經風管與干凈室內之空氣過濾器(HEPA) 進入干凈室，并由干凈室兩側隔間墻板或高架地板回風。氣流非直線型運動而呈不規則之亂流或渦流狀態。此型式適用于干凈室等級1,000-100,000級。 優點：結構簡單、系統建形成本低，干凈室的擴大比擬容易，在某些特殊用處場所，可并用無塵工作臺，進步干凈室等級。 缺陷：亂流形成的微塵粒子于室內空間飄浮不易排出，易污染制程產品。另外若系統中止運轉再激活，欲達需求之干凈度，常常須耗時相當長一段時間