單向流干凈室 單向流干凈室普通有兩品種型，即程度流和垂直流。在程度流系統中，氣流是從一面墻流向另一面墻。在垂直流系統中，氣流是從吊頂流向空中。對請求干凈室的懸浮粒子濃度或微生物濃度更低的場所，就運用單向氣流。以前稱這類干凈室為“層流”干凈室。單向流和層流的稱號均闡明了其氣流的情況：氣流以一個方向活動（或是垂直的或是程度的），并以普通是0.3米/秒至0.5米/秒（60英尺/分鐘至100英尺/分鐘）的均速流過整個空間。由滿布干凈室吊頂的高效過濾器向室內送風。氣流有如一個空氣活塞，向下流經室內，帶走污染物，然后從空中排出。又在與外部的一些新穎空氣混合后，再循環至高效過濾器。人員和工藝所產生的懸浮污染可立刻被這種空氣肅清掉，而紊流通風系統采用的是混合與稀釋原理。在一間沒有任何障礙物的空房間，單向流用比前面提到的低得多的風速，就能夠很快將污染物肅清。但在一個操作間，機器以及機器四周走動的人員，會對氣流構成障礙。障礙物能夠使單向流變成紊流，從而在障礙物四周構成氣流團。人員的活動也能夠使單向流變成紊流。在這些紊流中，由于風速較低，空氣稀釋水平較小，從而使得污染濃度較高。

干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

實驗室凈化分類 亂流式 空氣由空調箱經風管與干凈室內之空氣過濾器(HEPA) 進入干凈室，并由干凈室兩側隔間墻板或高架地板回風。氣流非直線型運動而呈不規則之亂流或渦流狀態。此型式適用于干凈室等級1,000-100,000級。 優點：結構簡單、系統建形成本低，干凈室的擴大比擬容易，在某些特殊用處場所，可并用無塵工作臺，進步干凈室等級。 缺陷：亂流形成的微塵粒子于室內空間飄浮不易排出，易污染制程產品。另外若系統中止運轉再激活，欲達需求之干凈度，常常須耗時相當長一段時間