實驗室凈化原理： 亂流干凈室的主要特性是歷來流到出流（從送風口到回風口）之間氣流的流通截面是變化的，干凈室截面比送風口截面大得多，因此不能在全室截面或者在全室工作區截面構成勻速氣流。所以，送風口以后的流線彼此有很大或者越來越大的夾角，曲率半徑很小，氣流在室內不可能以單一方向活動，將會彼此撞擊，將有回流、旋渦產生。這就決議亂流干凈室的流態本質是：突變流；非平均流。 這比用紊流來描繪亂流干凈室更確切、更全面。紊流主要決議于雷諾數，也就是主要受流速的影響，但是假如采用一個高效過濾器頂送的送風方式，則即便流速極低，也要產生上述各種結果，這就由于它是一個突變流和非平均流。因而這種狀況下不只有流層之間因紊流活動而發作的摻混，而且還有全室范圍內的大的回流、旋渦所發作的摻混。

干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

這里有必要先闡明一下無窗干凈室的照明方式： (1)普通照明它指不思索特殊的部分需求，為照亮整個被照面積而設置的照明。 (2)部分照明這是指為增加某一指定地點（如工作點）的照度而設置的照明。但在室內照明由普通不單獨運用部分照明。 (3)混合照明這是指工作面上的照度由普通照明和部分照明合成的照明，其中普通照明的照度按《干凈廠房設計標準》應占總照度的10%—15%，但不低干150LX。 單位被照面積上承受的光通量即是照明單位勒克斯(LX)。國外干凈室的強度請求極高，例如美國關于干凈室的幾個規范的請求是． 人工光300lx有較好的效果，當工件精密水平更高時，500x也是允許的。關于要紅燈照明的中央，如電子行業的光刻車間，其照度普通為(25—501x)，用自然光時可允許更高的照度，因此對工作是有利的，所以今后干凈室的照明既采用人工光也采用自然光可能是有出路的，這也是為了節能而呈現的一種意向。 4、防靜電干凈室中由于靜電惹起的的事故屢有發作，因而干凈室的防靜電才能如何已成為評價其質量的一個不可無視的方面。