C1s校正后，其他峰和標(biāo)準(zhǔn)峰峰位相差多少算合理？以及分峰的峰位相差在多少范圍內(nèi)合理？，答：有些峰會(huì)偏移的大一些，一般情況，峰位相差0，5eV以內(nèi)，如果相差過(guò)大，需要考慮是否是校正存在問(wèn)題，XPS之所以無(wú)法檢測(cè)H、He，是因?yàn)椋?)H和He的光電離界面小，信號(hào)太弱；2)H1s電子很容易轉(zhuǎn)移，在大多數(shù)情況下會(huì)轉(zhuǎn)移到其他原子附近，檢測(cè)起來(lái)非常困難;3)H和He沒(méi)有內(nèi)層電子，其外層電子用于成鍵，H以原子核形式存在。

實(shí)用XPS定量分析方法可以概括為標(biāo)樣法、元素靈敏度因子法和一級(jí)原理模型，目前XPS定量分析多采用元素靈敏度因子法，該方法利用特定元素譜線強(qiáng)度作參考標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)得其它元素相對(duì)譜線強(qiáng)度，求得各元素的相對(duì)含量，根據(jù)譜峰形狀，結(jié)合文獻(xiàn)對(duì)O1s進(jìn)行峰擬合，分別是530eV左右的ZnO晶格O的峰(OL)、531，XPS常用AlKα或者M(jìn)gKαX射線為激發(fā)源，能檢測(cè)周期表中除氫、氦以外的所有元素，一般檢測(cè)限為0。

當(dāng)用XPS測(cè)量絕緣體或者半導(dǎo)體時(shí)，由于光電子的連續(xù)發(fā)射而得不到電子補(bǔ)充，使得樣品表面出現(xiàn)電子虧損，這種現(xiàn)象稱為“荷電效應(yīng)”，荷電效應(yīng)將使樣品表面出現(xiàn)一穩(wěn)定的電勢(shì)Vs，對(duì)電子的逃離有一定束縛作用，因此荷電效應(yīng)將引起能量的位移，使得測(cè)量的結(jié)合能偏離真實(shí)值，造成測(cè)試結(jié)果的偏差，高分辨譜經(jīng)過(guò)分峰擬合之后，就可以用來(lái)確定元素的化學(xué)態(tài)了，或者通過(guò)反應(yīng)前后樣品的高分辨譜圖對(duì)比來(lái)得到其表面電子結(jié)構(gòu)的變化信息等等。