透射電子顯微鏡（TEM）是研究材料微結構zui直接的表征技術之一，能夠在納米到原子尺度對材料微結構進行成像與分析，目前，應用于材料的電學參數表征方法可以分為兩大類：一類為宏觀尺度技術，比如四點探針法或范德堡法，光學測量等，允許快速檢測，但只能提供直流電導率等單一參數信息，另一類為納米尺度的技術，如拉曼光譜、原子力顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡等，能夠得到分辨率很高的圖像，然而通常需要復雜的樣品制備步驟，并且測量速度十分緩慢，無法實現高速測量。

2切片厚度50～100nm為宜：太薄反差低；太厚反差好，但結構重疊，電子束不能穿透；，3切片應耐電子束的強烈照射，不變形不升華；，4切片能夠適當被染色，保證一定的反差；，5切片均勻，無影響拍照的皺褶、刀痕或染色污染，其中，DigitalMicrograph不僅能夠自動識別Gatan公司電鏡拍攝的dm3、dm4、Tif文件中的標尺、放大倍數、儀器型號等信息，還能夠對圖片中進行上偽色突出對比度、選區傅里葉變換、劃線取向灰度分析等。

染色方法有單染，包括鉛鹽單染和鈾鹽單染；雙染色，醋酸鈾染色和檸檬酸鉛染色，雙染色呈現結果更全面，我們一般采用的雙染法進行染色，常用染色劑：醋酸鈾，有微弱的放射性，主要染核酸、核蛋白、細胞核、結締組織，檸檬酸鉛，主要染膜結構、脂類、糖原等，易與CO2反應成沉淀，染色中應采取措施避免，電鏡照片主要解析粒徑分布、單晶/多晶、晶面結構、元素和原子分散，其本質是信號的空間分布，基本機理與比例尺地圖是一致的。